芯片行业再添利好!三星电子今日(7月31日)发布数据,第二季度营业利润达10.44万亿韩元,折合约547亿元人民币,同比暴增1462%,超出市场预期。
三星电子表示,第二季度得益于人工智能的迅猛发展,高性能高带宽存储器(HBM)销售额环比增长超50%。下半年,公司计划进一步扩产,推出最新AI内存产品HBM3E,满足AI领域不断增长的需求。目前,三星还在研发第六代HBM4,并预计明年上半年投产。
今日美股盘前,与AI密切相关的半导体板块集体上涨。AMD一度涨超10%,其二季度AI芯片销售强劲,数据中心业务收入创历史新高,同时上调了AI芯片销售预期。其他个股方面,阿斯麦涨8%,英伟达涨近5%,台积电、博通和美光涨近4%,高通涨超3%。
三星业绩暴增1462%
当地时间7月31日,三星电子公布了2010年以来最快的净利润增速,原因是人工智能(AI)热潮提振了其半导体部门的收益。
这家全球最大的存储和智能手机制造商披露,按合并财务报表口径计算,今年第二季度,公司销售额为74万亿韩元,同比增长23.44%,超出此前市场预期的73.74万亿韩元;营业利润达到10.44万亿韩元,同比猛增1462%,好于市场预期的9.53万亿韩元,这也是自2022年第三季度以来,三星电子的季度营业利润首次超过10万亿韩元。公司第二季度净利润为9.84万亿韩元,同比增长471%。
受人工智能(AI)市场扩大推动存储芯片需求的复苏和芯片价格上升等利好因素影响,三星电子芯片部门业绩大幅改善,带动整体业绩向好。
三星电子的出色业绩表明,全球计算市场正在摆脱疫情后的长期低迷,部分原因是美国和中国在人工智能开发方面投入了大量资金。与SK海力士一样,三星电子也提供用于服务器和移动设备存储的半导体,并销售大量消费电子产品。
具体来看,第二季度,三星电子负责半导体业务的数字解决方案(DS)部门销售额为28.56万亿韩元,营业利润6.45万亿韩元,好于市场预期。今年第一季度该部门实现了1.91万亿韩元的营业利润,时隔五个季度重新实现盈利,而在第二季度的营业利润增幅进一步扩大。
三星电子设备体验(DX)部门销售额为42.07万亿韩元,营业利润2.72万亿韩元。其中涵盖智能手机的移动体验(MX)业务销售额环比减少,这主要是因为第二季度是智能手机销售淡季。
三星电子方面称,由于智能手机市场的季节性趋势持续,智能手机的整体市场需求连续下降,尤其是高端市场。虽然MX业务的收入连续下降,但Galaxy S24系列在第二季度和上半年的出货量和收入都比上一代产品实现了两位数的同比增长。
三星电子预计,随着对具有人工智能功能的高端产品以及智能手表等配件的需求不断增长,2024年下半年智能手机的总体需求将比去年同期有所增长。
三星电子于周三宣布,人工智能生成式内容的热潮带动对 HBM(高带宽存储器)和 DDR5(DRAM)等高价值产品的需求增长。
据三星电子称:“以服务器为中心的产品(如 HBM 和 DDR5)的销售有所增长。公司积极满足生成式人工智能服务器对高价值产品的需求,大幅改善了上季度业绩。”
数据显示,第二季度,三星电子 HBM 的销售额较前一季度增长了 50% 以上。在财报电话会议上,三星电子副总裁金在俊表示:“由于对生成式人工智能的强劲需求,第二季度内存市场继续保持强劲。HBM 的销售额同比增长了 50% 以上。”
三星电子将在第三季度开始量产其 8 层堆叠 HBM3E 芯片。媒体评论称,这表明三星电子已经为这些芯片找到了客户,据信是人工智能芯片巨头英伟达。
金在俊表示:“在上个季度为批量生产 8 层堆叠 HBM3E 产品做准备时,我们向主要客户提供了样品,目前正在顺利进行测试。最新的 12 层堆叠 HBM3E 产品也将在下半年上市。”
三星电子表示,目前正在开发第六代 HBM4,并计划在明年上半年开始生产。三星电子预计,下半年的代工业务移动需求将出现反弹,人工智能和高性能计算应用的需求将持续高增长。
分析机构看好产业链,TrendForce 集邦咨询预测,DRAM(动态随机存取内存)的平均价格将在 2024 年增长 53%,并在 2025 年再增长 35%,推动 DRAM 产业的收入在 2024 年和 2025 年分别达到 907 亿美元(同比增长 75%)和 1365 亿美元(同比增长 51%)。
TrendForce 集邦咨询表示,推动 DRAM 收入的四个因素包括 HBM 的兴起、普通 DRAM 产品的世代演进、原厂资本支出限制供应以及服务器需求复苏。与普通 DRAM 相比,HBM 不仅拉动了比特需求,还提高了产业的平均价格。预计 2024 年 HBM 将贡献 DRAM 比特出货量的 5% 和收入的 20%。DDR5 和 LPDDR5/5X 等高价值产品的渗透也有助于提高平均价格。
TrendForce 集邦咨询估计,DDR5 将分别贡献 2024 年和 2025 年服务器 DRAM 比特出货量的 40% 和 60%-65%,LPDDR5/5X 将贡献 2024 年和 2025 年移动 DRAM 比特出货量的 50% 和 60%。
TrendForce 集邦咨询指出,存储器产业收入创下纪录,原厂将有足够的现金流加速投资。预计 2025 年 DRAM 和 NAND Flash 产业的资本支出将分别增长 25% 和 10%,还有可能上调。
存储器生产规模的提升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料的需求。相反,存储器价格的上涨将增加电子产品的成本,原始设计制造商和原始设备制造商将很难将成本完全反映在零售价上,利润将被压缩。
开源证券分析师罗通认为,随着行业周期稳步复苏,2024 年至 2025 年存储板块的收入规模将逐步扩大,国内存储芯片、模组和接口芯片等环节的企业有望充分受益。
国泰君安分析师舒迪指出,近期国内多家芯片设计公司发布业绩预增公告,其中业绩超预期的公司主要包括存储领域的兆易创新、服务器领域的澜起科技、数字SoC领域的晶晨和瑞芯微等。
受益于AI和AI终端设备更换周期的驱动,存储和AI下游领域率先复苏。智能手机、PC、AIoT和通用服务器的复苏趋势持续,有望在第三季度继续向好。
芯片厂商SK海力士公布的财报显示,公司2024财年第二季度合并收入为16.42万亿韩元,创历史新高,同比增长125%,环比增长32%;营业利润为5.47万亿韩元,自2018年以来再次突破5万亿韩元大关。
国泰君安认为,海力士第二季度收入创纪录,运营利润大幅改善,主要得益于存储价格上涨和AI需求(HBM、DDR5、企业级SSD等)的拉动。海力士的强劲业绩强化了存储周期的趋势和HBM的需求趋势。该公司看好国产AI算力的自主可控、HBM设备公司的产业发展以及利基存储领域的持续上涨趋势。
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