明年HBM产品预测涨价5-10% 超三成DRAM产值

近年来，高带宽内存 (HBM) 需求快速增长，尤其是在人工智能 (AI) 浪潮的推动下，HBM 产品销量不断攀升，价格也水涨船高。

尽管各存储器供应商不断提高 HBM 产能，但仍无法满足市场需求。据称，SK 海力士和美光至 2025 年底前的 HBM 产能已全部售罄。

市场研究分析机构 TrendForce 发布报告指出，得益于 HBM 价格大幅高于传统 DRAM（约为 DDR5 的五倍），以及 AI 芯片的迭代需求，推动了 2023 年至 2025 年 HBM 产能的提升。

2023 年和 2024 年，HBM 分别占 DRAM 产能的 2% 和 5%，2025 年将提升至 10% 以上。

产值方面，2024 年 HBM 占比将超过 DRAM 总产值的 20%，2025 年可能提高至 30% 以上。

从今年第二季度开始，各存储器供应商针对 2025 年的 HBM 产品展开议价。但由于 DRAM 产能限制，为避免产能排挤效应，初步涨幅为 5~10%，覆盖 HBM2E、HBM3 和 HBM3E。

提前议价的原因有三点：一、买方对 AI 需求充满信心，愿意接受涨价；二、HBM3E 良品率仅为 40~60%，有待提升，买方希望稳定货源；三、不同供应商因供应能力问题，导致平均销售单价出现差异，影响获利。

目前，HBM 产品正大规模转向 HBM3E，并且将出现更多 12 层堆叠芯片，推动 HBM 容量提升。预计 2024 年 HBM 需求同比增长率接近 200%，到 2025 年有可能再翻倍。